全球電子製造服務領導廠商鴻海科技集團(TWSE：2317)旗下鴻海研究院半導體研究所(HHRI SRC)在功率半導體研究領域展現出突破性的技術研究成果，於2026年兩大指標性國際頂級會議—功率元件界奧運IEEE ISPSD以及可靠度物理殿堂IEEE IRPS中，一口氣發表四篇高品質研究論文 。最令業界矚目的是，鴻海研究院不僅在碳化矽元件的技術規格上持續領先，更在今年ISPSD競爭極其激烈的口頭發表(Oral Presentation)中脫穎而出，成為今年台灣唯二入選的Oral論文之一，這不僅是對鴻海研發深度的認可，更象徵其技術影響力已躋身全球頂尖梯隊。

過往化合物功率半導體的研究多侷限於如何將離散式元件的結構進行優化或性能進行提升，然而，鴻海研究院半導體研究所在今年展現跨領域的技術創新，將研發重心從「元件改良」成功轉向「智慧系統整合」。團隊在碳化矽領域接連發表多種單晶積體電路整合晶片，不僅攻克了高壓功率元件與低壓控制電路整合時極為複雜的製程挑戰，更引領碳化矽功率元件從此邁向智慧化與系統級整合的新時代，正式開拓了碳化矽材料應用的新紀元。此智慧化功率IC可廣泛應用於電動車、AI資料中心、機器人等高功率、高效率需求領域，為未來綠能轉型與智慧運算提供關鍵核心技術。

作為本次ISPSD的核心亮點，鴻海研究院郭浩中所長、蕭逸楷組長、洪嘉隆研究員以及全體研究團隊攜手陽明交通大學崔秉鉞、吳添立教授團隊，成功發表1.7 kV SiC TCOX UMOSFET與Tri-Gate CMOS的單晶積體電路整合技術 。這項研究首次在高壓溝槽式功率元件旁，同步整合具備三面閘極結構的CMOS電路，徹底解決高低壓元件共存時製程整合上的難題。實驗數據顯示，這種創新結構不僅能在維持高壓元件特性情況下，調整低壓元件的Tri-Gate FET至合適的閘檻電壓，顯著提升運算速度並降低靜態功耗，更可在200度的高溫下操作，對未來Data Center的高溫環境具備極大的優勢。同時團隊也在該平台上成功驗證如運算放大器（OPAMP）、記憶體（6T-SRAM）及閘極驅動器（Gate Driver）等不同晶片的核心功能，為未來「智慧化功率 IC」的技術發展以及落地奠定了堅實基礎。

在元件穩定性與壽命預測方面，鴻海研究院與陽明交通大學吳添立研究團隊同樣在IEEE IRPS會議上針對4H-SiC MOSFET的可靠度物理機制提出長期研究的成果。研究人員透過電荷泵浦(Charge Pumping)的方式進行定量分析。研究結果顯示元件在長期應力作用下，主導元件失效的機制會從早期的「電洞捕捉」轉向「電子捕捉」，並證實高溫會劇烈加速界面缺陷(Interface Traps)的生成，最終導致閘極電流衰減。這項成果對於提升電動車與再生能源系統等高可靠度場景的壽命評估至關重要。

除了上述兩大技術里程碑以外，鴻海研究院在高壓應用領域也展示了全面的佈局實力，包括與陽明交通大學崔秉鉞教授團隊與吳添立教授團隊實現了具備極低導通電阻(2.96mΩ-cm2)且能在攝氏200度下高溫穩定運行的1.7 kV JBSFET，以及針對氮化鎵(GaN）高壓感測應用提出的全新「Bowtie(領結型)」結構GaN HEMT。該結構能有效抑制通道長度調製效應，將3dB頻寬從21kHz大幅躍升至113kHz。

透過一系列從元件結構創新到單晶積體電路整合到可靠度分析的全面研發成果，鴻海研究院不僅強化了集團在「3+3+3」發展策略中的核心競爭力，更透過技術轉移與產學合作，持續為全球智慧化功率半導體市場注入強勁動能 。